标签： 仿真模拟

silvacotcad是一款非常专业的设计工具，能让我们器件设计人员更好地了解给定技术的可能的优点和缺点，将模拟运行时间最小化放在最高优先级上。目前，全流量标准CMOS模拟通常通过1D和2D模拟的组合来完成，有需要的朋友赶紧下载吧。

silvacotcad功能介绍

1、胜利装置的功能允许诸如功率MOS，LDMOS，SOI，晶闸管和IGBT等功率器件的电气和热性能。VictoryDevice采用先进的3DDelaunay网格，相应的离散化和扩展的精密数值，可以对诸如SiC和GaN等宽带隙材料进行稳定和精确的模拟。这些器件也可以嵌入电路并由内置的SPICE电路仿真器进行仿真。

2、该3D FinFET用3D完全非结构化的四面体网格进行模拟。网格完全自动化，包括对掺杂和界面的改进。

3、胜利器件支持先进的缺陷模型，可以对薄膜器件进行表征。

4、显示在黑暗和照明条件下CMOS图像传感器的瞬态响应的3D过程和设备模拟如下所示。

5、InVarPower帮助设计人员了解和分析由于电源和热2D/3D配置文件之间的相互依赖而导致的各种设计效果，以及动态功耗如何实时影响设备行为。

6、InVar从单电池设计到全芯片的热定 标，并提供实验室验证的热分析精度。从热引擎到电源和EM / IR引擎的反馈提供了前所未有的整体准确性。

silvacotcad软件特色

四面体网格，用于精确的3D几何表示

用于保形Delaunay网格的Voronoi离散化

先进的物理模型，具有用户自定义的硅和复合材料的材料数据库

应力依赖移动性和带隙模型

使用C-Interpreter或动态链接库的高度可定制的物理模型

DC，AC和瞬态分析

漂移扩散和能量平衡传输方程

自发热效应的自相关模拟，包括发热，热流，晶格加热，散热器和温度依赖性材料参数

高级多线程数值求解器库，支持分布式计算

量子校正和隧道模型

光线跟踪和FDTD光学方法

辐射效应包括单次事件不适（SEU），总剂量和剂量率

小编点评

非常好使用的设计工具，而且还拥有非常丰富的例子库，也是新手这进行学习CAD时候的最佳选择。